1.1.3 CMOS集成电路的特点

CMOS集成电路具有以下特点。

1）静态功耗低：漏极电源电压V_DD=5V的中规模电路的静态功耗小于100μW，从而有利于提高集成度和封装密度，降低成本，减小电源功耗。

2）电源电压范围宽：4000系列CMOS集成电路的电源电压范围为3～18V，从而使电源的选择余地大，电源设计要求低。

3）输入阻抗高：正常工作的CMOS集成电路，其输入端保护二极管处于反偏状态，直流输入阻抗可大于100MΩ，在工作频率较高时，应考虑输入电容的影响。

4）扇出能力强：在低频工作时，一个输出端可驱动50个以上的CMOS集成电路的输入端，这主要是因为CMOS集成电路的输入阻抗高。

5）抗干扰能力强：CMOS集成电路的电压噪声容限可达电源电压的45%，而且高电平和低电平的噪声容限值基本相等。

6）逻辑摆幅大：空载时，输出高电平U_OH＞(V_DD-0.05V)，低电平U_OL＜(V_SS+0.05V)，其中V_SS为源极电源电压。

CMOS集成电路还有较好的温度稳定性和较强的抗辐射能力。不足之处是，一般CMOS器件的工作速度比TTL集成电路低，功耗随工作频率的升高而显著增大。

CMOS集成电路的输入端和V_SS之间接有保护二极管，除了电平变换器等一些接口电路外，输入端和正电源V_DD之间也接有保护二极管，因此，在正常运输和焊接CMOS集成电路时，一般不会因感应电荷而损坏器件。但是，在使用CMOS集成电路时，输入信号的低电平不能低于(V_SS-0.5V)，除某些接口电路外，输入信号的高电平不得高于(V_DD+0.5V)，否则可能引起保护二极管导通，甚至损坏，进而可能使输入级损坏。